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IRF7757TR
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRF7757TR |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IRF7757TR |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IRF7757 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IRF7757TR
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Potenza - Max | 1.2W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IRF7757TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1340pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.8A |
Altri
| Pacco standard | 4,000 |
|---|
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