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IRF7601PBF
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRF7601PBF |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IRF7601PBF |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IRF7601PbF |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IRF7601PBF
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 700mV @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | Micro8™ |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 35 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Altri nomi | SP001551458 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IRF7601PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.7A (Ta) |
Altri
| Altri nomi | SP001551458 |
|---|---|
| Pacco standard | 80 |
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