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IRF6810STRPBF
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRF6810STRPBF |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IRF6810STRPBF |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N CH 25V 16A S1 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IRF6810STR (1) PBF |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IRF6810STRPBF
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.1V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±16V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric S1 |
| Altri nomi | IRF6810STRPBF-ND IRF6810STRPBFTR SP001530834 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IRF6810STRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1038pF @ 13V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione | MOSFET N CH 25V 16A S1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 50A (Tc) |
Altri
| Altri nomi | IRF6810STRPBF-ND IRF6810STRPBFTR SP001530834 |
|---|---|
| Pacco standard | 4,800 |
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