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IRF6720S2TRPBF
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRF6720S2TRPBF |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IRF6720S2TRPBF |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IRF6720S2TR(1)PBF |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IRF6720S2TRPBF
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- Descrizione
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Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DIRECTFET S1 |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 8 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.7W (Ta), 17W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | DirectFET™ Isometric S1 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IRF6720S2TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1140pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 11A (Ta), 35A (Tc) 1.7W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 35A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 4,800 |
|---|
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