EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRF5850 |
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fabbricante Modello di prodotti: | IRF5850 |
fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
Breve descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Contiene piombo / RoHS non conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | IRF5850 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 250µA |
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Contenitore dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
Potenza - Max | 960mW |
imballaggio | Tube |
Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | IRF5850 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Descrizione espansione | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP |
Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6TSOP |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A |
Pacco standard | 100 |
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