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IRF5804TR
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IRF5804TR |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IRF5804TR |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IRF5804 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IRF5804TR
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | Micro6™(TSOP-6) |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 198 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IRF5804TR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | P-Channel 40V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione | MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 3,000 |
|---|
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