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IPT60R028G7XTMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPT60R028G7XTMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPT60R028G7XTMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IPT60R028G7 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPT60R028G7XTMA1
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Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1.44mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-HSOF-8 |
| Serie | CoolMOS™ G7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 28 mOhm @ 28.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 391W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerSFN |
| Altri nomi | SP001579312 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IPT60R028G7XTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 650V 75A (Tc) 391W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Altri
| Altri nomi | SP001579312 |
|---|---|
| Pacco standard | 2,000 |
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