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IPS04N03LA G
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPS04N03LA G |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPS04N03LA G |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IP(D,F,S,U)04N03LA G |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPS04N03LA G
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 80µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 115W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Altri nomi | IPS04N03LAGX SP000016330 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore | IPS04N03LA G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5199pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 25V 50A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 50A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 1,500 |
|---|---|
| Altri nomi | IPS04N03LAGX SP000016330 |
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