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IPP50R190CE
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPP50R190CE |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPP50R190CE |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IPx50R190CE |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPP50R190CE
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 510µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 190 mOhm @ 6.2A, 13V |
| Dissipazione di potenza (max) | 127W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | IPP50R190CEXKSA1 SP000850802 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IPP50R190CE |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1137pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 500V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Tc) |
Altri
| Altri nomi | IPP50R190CEXKSA1 SP000850802 |
|---|---|
| Pacco standard | 50 |
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