IPP200N25N3 G

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IPP200N25N3 G

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IPP200N25N3 G
fabbricante Modello di prodotti:IPP200N25N3 G
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IPx200N25N3 G
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 270µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO-220-3
Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3
Altri nomi IPP200N25N3G
IPP200N25N3GXKSA1
SP000677894
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
codice articolo del costruttore IPP200N25N3 G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 250V
Descrizione MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 64A (Tc)

Altri

Pacco standard 500
Altri nomi IPP200N25N3G

IPP200N25N3GXKSA1

SP000677894

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