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IPP05CN10NGXKSA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPP05CN10NGXKSA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPP05CN10NGXKSA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IP(B,I,P)05CN10N G |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPP05CN10NGXKSA1
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Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
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Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | IPP05CN10N G IPP05CN10N G-ND IPP05CN10NG IPP05CN10NGIN IPP05CN10NGIN-ND IPP05CN10NGX IPP05CN10NGXK SP000680814 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IPP05CN10NGXKSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 500 |
|---|---|
| Altri nomi | IPP05CN10N G IPP05CN10N G-ND IPP05CN10NG IPP05CN10NGIN IPP05CN10NGIN-ND IPP05CN10NGX IPP05CN10NGXK SP000680814 |
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