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IPG20N04S408ATMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPG20N04S408ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPG20N04S408ATMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IPG20N04S4-08 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPG20N04S408ATMA1
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
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- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 30µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 17A, 10V |
| Potenza - Max | 65W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | IPG20N04S408ATMA1TR SP000705582 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 26 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IPG20N04S408ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2940pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 20A |
Altri
| Altri nomi | IPG20N04S408ATMA1TR SP000705582 |
|---|---|
| Pacco standard | 5,000 |
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