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IPD65R650CEAUMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPD65R650CEAUMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPD65R650CEAUMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 650V 7A TO-252 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IPD65R650CE, IPA65R650CE |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPD65R650CEAUMA1
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 210µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Serie | CoolMOS™ CE |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 86W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | SP001396908 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IPD65R650CEAUMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 650V 7A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 7A TO-252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 2,500 |
|---|---|
| Altri nomi | SP001396908 |
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