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IPD50R800CE
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPD50R800CE |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPD50R800CE |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N CH 500V 5A TO252 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IPD50R800CE |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPD50R800CE
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3.5V @ 130µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Serie | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 800 mOhm @ 1.5A, 13V |
| Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | IPD50R800CEDR IPD50R800CEDR-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IPD50R800CE |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Descrizione espansione | N-Channel 500V 5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione | MOSFET N CH 500V 5A TO252 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|---|
| Altri nomi | IPD50R800CEDR IPD50R800CEDR-ND |
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