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IPB160N04S3H2ATMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPB160N04S3H2ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPB160N04S3H2ATMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IPB160N04S3-H2 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPB160N04S3H2ATMA1
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Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
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Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-7-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 214W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Altri nomi | IPB160N04S3-H2 IPB160N04S3-H2-ND IPB160N04S3-H2TR IPB160N04S3-H2TR-ND IPB160N04S3H2 SP000254818 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | IPB160N04S3H2ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 40V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 1,000 |
|---|---|
| Altri nomi | IPB160N04S3-H2 IPB160N04S3-H2-ND IPB160N04S3-H2TR IPB160N04S3-H2TR-ND IPB160N04S3H2 SP000254818 |
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