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IPB120N04S401ATMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPB120N04S401ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPB120N04S401ATMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IPx120N04S4-01 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPB120N04S401ATMA1
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Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 140µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 188W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | IPB120N04S401ATMA1DKR |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IPB120N04S401ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 176nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 40V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 1 |
|---|---|
| Altri nomi | IPB120N04S401ATMA1DKR |
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