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IPB049N08N5ATMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-IPB049N08N5ATMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | IPB049N08N5ATMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | IPB049N08N5 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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IPB049N08N5ATMA1
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3.8V @ 66µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi | SP001227052 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore | IPB049N08N5ATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3770pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 80V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V TO263-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Altri
| Altri nomi | SP001227052 |
|---|---|
| Pacco standard | 1,000 |
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