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BSZ15DC02KDHXTMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-BSZ15DC02KDHXTMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | BSZ15DC02KDH |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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BSZ15DC02KDHXTMA1
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.4V @ 110µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Potenza - Max | 2.5W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi | BSZ15DC02KDHXTMA1-ND BSZ15DC02KDHXTMA1TR SP000961028 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore | BSZ15DC02KDHXTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Descrizione espansione | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A, 3.2A |
Altri
| Pacco standard | 5,000 |
|---|---|
| Altri nomi | BSZ15DC02KDHXTMA1-ND BSZ15DC02KDHXTMA1TR SP000961028 |
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