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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BSR606NH6327XTSA1
BSR606NH6327XTSA1

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BSR606NH6327XTSA1

EXSHINE Modello di prodotti:EX-BSR606NH6327XTSA1
fabbricante Modello di prodotti:BSR606NH6327XTSA1
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:BSR606N
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 15µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-SC-59
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 60 mOhm @ 2.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi BSR606NH6327XTSA1-ND
BSR606NH6327XTSA1TR
SP000691160
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 14 Weeks
codice articolo del costruttore BSR606NH6327XTSA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 657pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 60V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SC-59
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A (Ta)

Altri

Pacco standard 3,000
Altri nomi BSR606NH6327XTSA1-ND

BSR606NH6327XTSA1TR

SP000691160

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