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BSP299L6327HUSA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-BSP299L6327HUSA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | BSP299L6327HUSA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | BSP299 |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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BSP299L6327HUSA1
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi | BSP299 L6327 BSP299 L6327-ND BSP299 L6327TR-ND BSP299L6327XT SP000089200 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore | BSP299L6327HUSA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 500V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 400mA (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 1,000 |
|---|---|
| Altri nomi | BSP299 L6327 BSP299 L6327-ND BSP299 L6327TR-ND BSP299L6327XT SP000089200 |
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