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BSO211PNTMA1
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-BSO211PNTMA1 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | BSO211PNTMA1 |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Contiene piombo / RoHS non conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | BSO211P |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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BSO211PNTMA1
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Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 25µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | P-DSO-8 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | BSO211PINCT |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | BSO211PNTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23.9nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8 |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A |
Altri
| Altri nomi | BSO211PINCT |
|---|---|
| Pacco standard | 1 |
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