BSC014N03MS G

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BSC014N03MS G

EXSHINE Modello di prodotti:EX-BSC014N03MS G
fabbricante Modello di prodotti:BSC014N03MS G
fabbricante / Marca:Infineon Technologies
Breve descrizione:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:BSC014N03MS G
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore PG-TDSON-8
Serie OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 139W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi BSC014N03MS G-ND
BSC014N03MSG
BSC014N03MSGATMA1
SP000394681
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 16 Weeks
codice articolo del costruttore BSC014N03MS G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 173nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 30V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 100A (Tc)

Altri

Pacco standard 5,000
Altri nomi BSC014N03MS G-ND

BSC014N03MSG

BSC014N03MSGATMA1

SP000394681

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