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BSB017N03LX3 G
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-BSB017N03LX3 G |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | BSB017N03LX3 G |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | BSB017N03LX3 G |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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BSB017N03LX3 G
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 3-WDSON |
| Altri nomi | BSB017N03LX3 G-ND BSB017N03LX3G BSB017N03LX3GXUMA1 SP000604468 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore | BSB017N03LX3 G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 147A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 5,000 |
|---|---|
| Altri nomi | BSB017N03LX3 G-ND BSB017N03LX3G BSB017N03LX3GXUMA1 SP000604468 |
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