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AUIRF9952Q
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-AUIRF9952Q |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | AUIRF9952Q |
| fabbricante / Marca: | Infineon Technologies |
| Breve descrizione: | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | AUIRF9952Q |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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AUIRF9952Q
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SO |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| Potenza - Max | 2W |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | SP001519192 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | AUIRF9952Q |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione | Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A, 2.3A |
Altri
| Pacco standard | 95 |
|---|---|
| Altri nomi | SP001519192 |
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