IXTH48N65X2

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IXTH48N65X2

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IXTH48N65X2
fabbricante Modello di prodotti:IXTH48N65X2
fabbricante / Marca:IXYS Corporation
Breve descrizione:MOSFET N-CH 650V 48A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IXTH48N65X2
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 4mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 68 mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 660W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi 632407
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
codice articolo del costruttore IXTH48N65X2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4420pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 650V 48A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione MOSFET N-CH 650V 48A TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)

Altri

Altri nomi 632407
Pacco standard 30

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Distributore di IXYS

- IXYS Integrated Circuits Division, precedentemente Clare, Inc., una società IXYS, progetta, produce e commercializza circuiti integrati ad alta tensione (IC) e relè a stato solido isolati otticamente (OptoMOS®) per la comunicazione, l'industria, la potenza e il consumatore mercati.
Come pionieri nello sviluppo di relè a stato solido (SSR), sono diventati un fornitore leader nei settori delle telecomunicazioni, della sicurezza, della misurazione dell'utilità e del controllo industriale. Le soluzioni SSR di IXYS Integrated Circuit Division stanno rapidamente sostituendo dispositivi elettromeccanici obsoleti in molte applicazioni e migliorando le prestazioni complessive del sistema. Continuano a sviluppare prodotti di leadership che offrono livelli più elevati di integrazione e prestazioni elettriche.

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