IXFT50N60P3

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IXFT50N60P3

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IXFT50N60P3
fabbricante Modello di prodotti:IXFT50N60P3
fabbricante / Marca:IXYS Corporation
Breve descrizione:MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IXFH-FT-FQ50N60P3
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 5V @ 4mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-268
Serie HiPerFET™, Polar3™
Rds On (max) a Id, Vgs 145 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1040W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 8 Weeks
codice articolo del costruttore IXFT50N60P3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 600V 50A (Tc) 1040W (Tc) Surface Mount TO-268
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)

Altri

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Distributore di IXYS

- IXYS Integrated Circuits Division, precedentemente Clare, Inc., una società IXYS, progetta, produce e commercializza circuiti integrati ad alta tensione (IC) e relè a stato solido isolati otticamente (OptoMOS®) per la comunicazione, l'industria, la potenza e il consumatore mercati.
Come pionieri nello sviluppo di relè a stato solido (SSR), sono diventati un fornitore leader nei settori delle telecomunicazioni, della sicurezza, della misurazione dell'utilità e del controllo industriale. Le soluzioni SSR di IXYS Integrated Circuit Division stanno rapidamente sostituendo dispositivi elettromeccanici obsoleti in molte applicazioni e migliorando le prestazioni complessive del sistema. Continuano a sviluppare prodotti di leadership che offrono livelli più elevati di integrazione e prestazioni elettriche.

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