IXFK120N65X2

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IXFK120N65X2

EXSHINE Modello di prodotti:EX-IXFK120N65X2
fabbricante Modello di prodotti:IXFK120N65X2
fabbricante / Marca:IXYS Corporation
Breve descrizione:MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:IXF(K,X)120N65X2
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 5.5V @ 8mA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-264
Serie HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 24 mOhm @ 60A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1250W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
codice articolo del costruttore IXFK120N65X2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 650V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)

Altri

Pacco standard 25

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Distributore di IXYS

- IXYS Integrated Circuits Division, precedentemente Clare, Inc., una società IXYS, progetta, produce e commercializza circuiti integrati ad alta tensione (IC) e relè a stato solido isolati otticamente (OptoMOS®) per la comunicazione, l'industria, la potenza e il consumatore mercati.
Come pionieri nello sviluppo di relè a stato solido (SSR), sono diventati un fornitore leader nei settori delle telecomunicazioni, della sicurezza, della misurazione dell'utilità e del controllo industriale. Le soluzioni SSR di IXYS Integrated Circuit Division stanno rapidamente sostituendo dispositivi elettromeccanici obsoleti in molte applicazioni e migliorando le prestazioni complessive del sistema. Continuano a sviluppare prodotti di leadership che offrono livelli più elevati di integrazione e prestazioni elettriche.

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