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849N202CKI-017LFT

EXSHINE Modello di prodotti:EX-849N202CKI-017LFT
fabbricante Modello di prodotti:849N202CKI-017LFT
fabbricante / Marca:IDT (Integrated Device Technology)
Breve descrizione:IC TRANSLATOR UNIV FREQ 40VFQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:ICS849N202FemtoClock NG UFT Order GuideTiming Fabric OverviewFemtoClock NG UFT Brief
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Parametro del prodotto

Tensione di alimentazione - 2.375 V ~ 3.465 V
Contenitore dispositivo fornitore 40-QFN (6x6)
Serie FemtoClock® NG
Rapporto - Ingresso: Uscita 2:2
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 40-VFQFN Exposed Pad
PLL Yes with Bypass
Produzione LVDS
Altri nomi ICS849N202CKI-017LFT
ICS849N202CKI-017LFT-ND
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C
Numero di circuiti 1
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
codice articolo del costruttore 849N202CKI-017LFT
Ingresso HCSL, LVDS, LVHSTL, LVPECL
Frequenza - Max 644.53MHz
Divisore / moltiplicatore Yes/No
Differenziale - Ingresso: Uscita Yes/Yes
Descrizione IC TRANSLATOR UNIV FREQ 40VFQFN

Altri

Pacco standard 5,000
Altri nomi ICS849N202CKI-017LFT

ICS849N202CKI-017LFT-ND

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Distributore di IDT, Integrated Device Technology Inc

- Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI), è un leader tecnologico che progetta, sviluppa e commercializza circuiti integrati ad alte prestazioni per i seguenti mercati chiave: (i) automotive, (ii) comunicazioni, (iii) consumer digitale e ( iv) industriale e medico. I loro prodotti primari sono SRAM ad alta velocità e bassa potenza e DRAM a bassa e media densità. La società inoltre progetta e commercializza prodotti flash NOR e circuiti integrati analogici e a segnale misto ad alte prestazioni. Si rivolgono a mercati in forte crescita con i nostri prodotti semiconduttori di alta qualità e convenienti e cercano di costruire relazioni a lungo termine con i nostri clienti. Sono stati un fornitore impegnato a lungo termine di prodotti di memoria, compresi prodotti a bassa densità e volumi più piccoli, anche in periodi di scarsa capacità produttiva.

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