GP2M010A065F

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GP2M010A065F

EXSHINE Modello di prodotti:EX-GP2M010A065F
fabbricante Modello di prodotti:GP2M010A065F
fabbricante / Marca:Global Power Technologies Group
Breve descrizione:MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:GP2M010A065F, H
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 820 mOhm @ 4.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi 1560-1207-1
1560-1207-1-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore GP2M010A065F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 650V 9.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)

Altri

Pacco standard 1
Altri nomi 1560-1207-1

1560-1207-1-ND

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Distributore di Global Power Technologies Group

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