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GP2M002A065FG
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-GP2M002A065FG |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | GP2M002A065FG |
| fabbricante / Marca: | Global Power Technologies Group |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | GP2M002A065FG, HG |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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GP2M002A065FG
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220F |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 4.6 Ohm @ 900mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 17.3W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | GP2M002A065FG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 353pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 17.3W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Altri
| Pacco standard | 2,000 |
|---|
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