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GP1M023A050N
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-GP1M023A050N |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | GP1M023A050N |
| fabbricante / Marca: | Global Power Technologies Group |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | GP1M023A050N |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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GP1M023A050N
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3PN |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 220 mOhm @ 11.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 347W (Tc) |
| imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi | 1560-1192-1 1560-1192-1-ND |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | GP1M023A050N |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3391pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 500V 23A (Tc) 347W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| Tensione drain-source (Vdss) | 500V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Altri
| Altri nomi | 1560-1192-1 1560-1192-1-ND |
|---|---|
| Pacco standard | 1 |
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