MURTA200120

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MURTA200120

EXSHINE Modello di prodotti:EX-MURTA200120
fabbricante Modello di prodotti:MURTA200120
fabbricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione:DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:MURTA20060 thru MURTA200120R
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Parametro del prodotto

Tensione - diretta (Vf) (max) a If 2.6V @ 100A
Tensione - inversa (Vr) (max) 1200V (1.2kV)
Contenitore dispositivo fornitore Three Tower
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro Three Tower
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo montaggio Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 4 Weeks
codice articolo del costruttore MURTA200120
Descrizione espansione Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Three Tower
Tipo diodo Standard
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode
Descrizione DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Corrente - Dispersione inversa a Vr 25µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 100A

Altri

Pacco standard 18

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Distributore di GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fondata nel 2007 è una società di sviluppo e produzione integrata dedicata ai prodotti basati su tecnologie di carburo di silicio (SiC). Questi prodotti saranno fondamentali per l'elettronica di potenza e le industrie energetiche negli anni futuri in cui sono necessarie tecnologie avanzate per generare energia, conversione e trasmissione a basso costo ed elevata efficienza.

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