MBR40035CTRL

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MBR40035CTRL

EXSHINE Modello di prodotti:EX-MBR40035CTRL
fabbricante Modello di prodotti:MBR40035CTRL
fabbricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione:DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:1
Scarica il foglio dati:MBR40035CT(R)L
Applicazione:-
Peso:-
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Parametro del prodotto

Tensione - diretta (Vf) (max) a If 600mV @ 200A
Tensione - inversa (Vr) (max) 35V
Contenitore dispositivo fornitore Twin Tower
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
imballaggio Bulk
Contenitore / involucro Twin Tower
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo montaggio Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore MBR40035CTRL
Descrizione espansione Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 200A Chassis Mount Twin Tower
Tipo diodo Schottky
Configurazione diodo 1 Pair Common Anode
Descrizione DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
Corrente - Dispersione inversa a Vr 3mA @ 35V
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 200A

Altri

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Distributore di GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fondata nel 2007 è una società di sviluppo e produzione integrata dedicata ai prodotti basati su tecnologie di carburo di silicio (SiC). Questi prodotti saranno fondamentali per l'elettronica di potenza e le industrie energetiche negli anni futuri in cui sono necessarie tecnologie avanzate per generare energia, conversione e trasmissione a basso costo ed elevata efficienza.

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