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GAP3SLT33-220FP

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GAP3SLT33-220FP

EXSHINE Modello di prodotti:EX-GAP3SLT33-220FP
fabbricante Modello di prodotti:GAP3SLT33-220FP
fabbricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:GAP3SLT33-220FP Datasheet
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GAP3SLT33-220FP
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Parametro del prodotto

Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7V @ 300mA
Tensione - inversa (Vr) (max) 3300V (3.3kV)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 0ns
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-220-2 Full Pack
Altri nomi 1242-1183
GAP3SLT33220FP
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks
codice articolo del costruttore GAP3SLT33-220FP
Descrizione espansione Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Descrizione DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5µA @ 3300V
Corrente - raddrizzata media (Io) 300mA
Capacità a Vr, F 42pF @ 1V, 1MHz

Altri

Altri nomi 1242-1183

GAP3SLT33220FP
Pacco standard 500

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Distributore di GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fondata nel 2007 è una società di sviluppo e produzione integrata dedicata ai prodotti basati su tecnologie di carburo di silicio (SiC). Questi prodotti saranno fondamentali per l'elettronica di potenza e le industrie energetiche negli anni futuri in cui sono necessarie tecnologie avanzate per generare energia, conversione e trasmissione a basso costo ed elevata efficienza.

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