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GA20SICP12-247

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GA20SICP12-247

EXSHINE Modello di prodotti:EX-GA20SICP12-247
fabbricante Modello di prodotti:GA20SICP12-247
fabbricante / Marca:GeneSiC Semiconductor
Breve descrizione:TRANS SJT 1200V 45A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id -
Tecnologia SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AB
Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 50 mOhm @ 20A
Dissipazione di potenza (max) 282W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks
codice articolo del costruttore GA20SICP12-247
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3091pF @ 800V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Tipo FET -
Caratteristica FET -
Descrizione espansione 1200V (1.2kV) 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB
Tensione drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Descrizione TRANS SJT 1200V 45A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)

Altri

Pacco standard 50

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Distributore di GeneSiC Semiconductor

- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fondata nel 2007 è una società di sviluppo e produzione integrata dedicata ai prodotti basati su tecnologie di carburo di silicio (SiC). Questi prodotti saranno fondamentali per l'elettronica di potenza e le industrie energetiche negli anni futuri in cui sono necessarie tecnologie avanzate per generare energia, conversione e trasmissione a basso costo ed elevata efficienza.

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