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DB105G
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-DB105G |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | DB105G |
| fabbricante / Marca: | GeneSiC Semiconductor |
| Breve descrizione: | DIODE BRIDGE 600V 1A DB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | DB105G~107GDB(S);MDBS;WOM Pkg Drawing |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
Disponibilità in tempo reale per
DB105G
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Tensione - Picco inversa (max) | 600V |
|---|---|
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If | 1.1V @ 1A |
| Tecnologia | Standard |
| Contenitore dispositivo fornitore | DB |
| Serie | - |
| imballaggio | Bulk |
| Contenitore / involucro | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
| Altri nomi | DB105GGN |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 4 Weeks |
| codice articolo del costruttore | DB105G |
| Descrizione espansione | Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Through Hole DB |
| Tipo diodo | Single Phase |
| Descrizione | DIODE BRIDGE 600V 1A DB |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr | 10µA @ 600V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) | 1A |
Altri
| Pacco standard | 2,500 |
|---|---|
| Altri nomi | DB105GGN |
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Distributore di GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") fondata nel 2007 è una società di sviluppo e produzione integrata dedicata ai prodotti basati su tecnologie di carburo di silicio (SiC). Questi prodotti saranno fondamentali per l'elettronica di potenza e le industrie energetiche negli anni futuri in cui sono necessarie tecnologie avanzate per generare energia, conversione e trasmissione a basso costo ed elevata efficienza.