HUFA76407DK8T_F085

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EXSHINE Modello di prodotti:	EX-HUFA76407DK8T_F085
fabbricante Modello di prodotti:	HUFA76407DK8T_F085
fabbricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:	MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:	New and unused, Original
Scarica il foglio dati:	HUFA76407DK8T_F085
Applicazione:	-
Peso:	-
Sostituzione alternativa:	-

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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs	90 mOhm @ 3.8A, 10V
Potenza - Max	2.5W
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	HUFA76407DK8T_F085
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11.2nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Descrizione espansione	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5W Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	-

Altri

Pacco standard	2,500

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

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