HUFA75329D3ST

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HUFA75329D3ST

EXSHINE Modello di prodotti:EX-HUFA75329D3ST
fabbricante Modello di prodotti:HUFA75329D3ST
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:HUFA75329D3/D3S
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA
Serie UltraFET™
Rds On (max) a Id, Vgs 26 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 128W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore HUFA75329D3ST
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1060pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 20V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 55V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Tensione drain-source (Vdss) 55V
Descrizione MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)

Altri

Pacco standard 2,500

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

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