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FQT13N06LTF

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FQT13N06LTF

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FQT13N06LTF
fabbricante Modello di prodotti:FQT13N06LTF
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:FQT13N06LMA04A Pkg Drawing
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4
Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 110 mOhm @ 1.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi FQT13N06LTF-ND
FQT13N06LTFTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks
codice articolo del costruttore FQT13N06LTF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 60V 2.8A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V
Descrizione MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)

Altri

Pacco standard 4,000
Altri nomi FQT13N06LTF-ND

FQT13N06LTFTR

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

- Il gruppo FDK mira a contribuire alla realizzazione di una società dell'elettronica benestante producendo e fornendo dispositivi elettronici e batterie che soddisfino le esigenze dei clienti. In linea con il nostro approccio incentrato sul cliente, FDK fornisce prodotti per aumentare il valore e la funzionalità dei prodotti dei nostri clienti. Il nostro materiale, il circuito e le tecnologie ad alta densità sono stati coltivati ​​da molto tempo e utilizzano prodotti ecologici. Ci impegniamo per essere riconosciuti in tutto il mondo come uno dei migliori fornitori di dispositivi chiave e all'avanguardia e per promuovere il progresso di queste tecnologie emergenti e al tempo stesso promuovendo la protezione ambientale.

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