FQI2P25TU

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EXSHINE Modello di prodotti:	EX-FQI2P25TU
fabbricante Modello di prodotti:	FQI2P25TU
fabbricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:	MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:	Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:	New and unused, Original
Scarica il foglio dati:	FQB2P25, FQI2P25
Applicazione:	-
Peso:	-
Sostituzione alternativa:	-

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FQI2P25TU
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs	4 Ohm @ 1.15A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.13W (Ta), 52W (Tc)
imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	FQI2P25TU
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-
Descrizione espansione	P-Channel 250V 2.3A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I2PAK
Tensione drain-source (Vdss)	250V
Descrizione	MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Tc)

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Pacco standard	1,000

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