FQD3N30TF

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FQD3N30TF

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FQD3N30TF
fabbricante Modello di prodotti:FQD3N30TF
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:D-PAK Tape and Reel DataFQD, FQU3N30
Applicazione:-
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak
Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 2.2 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore FQD3N30TF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 300V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione drain-source (Vdss) 300V
Descrizione MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.4A (Tc)

Altri

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

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