FQD12N20TM

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FQD12N20TM

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FQD12N20TM
fabbricante Modello di prodotti:FQD12N20TM
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:FQD12N20, FQU12N20D-PAK Tape and Reel Data
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak
Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi FQD12N20TM-ND
FQD12N20TMFSTR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks
codice articolo del costruttore FQD12N20TM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 200V
Descrizione MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)

Altri

Altri nomi FQD12N20TM-ND

FQD12N20TMFSTR
Pacco standard 2,500

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

- Il gruppo FDK mira a contribuire alla realizzazione di una società dell'elettronica benestante producendo e fornendo dispositivi elettronici e batterie che soddisfino le esigenze dei clienti. In linea con il nostro approccio incentrato sul cliente, FDK fornisce prodotti per aumentare il valore e la funzionalità dei prodotti dei nostri clienti. Il nostro materiale, il circuito e le tecnologie ad alta densità sono stati coltivati ​​da molto tempo e utilizzano prodotti ecologici. Ci impegniamo per essere riconosciuti in tutto il mondo come uno dei migliori fornitori di dispositivi chiave e all'avanguardia e per promuovere il progresso di queste tecnologie emergenti e al tempo stesso promuovendo la protezione ambientale.

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