EXSHINE Modello di prodotti: | EX-FQB3N25TM |
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fabbricante Modello di prodotti: | FQB3N25TM |
fabbricante / Marca: | Fairchild/ON Semiconductor |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | FQB, FQI3N25 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Serie | QFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | FQB3N25TM |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 250V 2.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Tensione drain-source (Vdss) | 250V |
Descrizione | MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
Pacco standard | 800 |
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