FDMS8050ET30

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FDMS8050ET30

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FDMS8050ET30
fabbricante Modello di prodotti:FDMS8050ET30
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:FDMS8050ET30
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 3V @ 750µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore Power56
Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 0.65 mOhm @ 55A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 3.3W (Ta), 180W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi FDMS8050ET30TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 6 Weeks
codice articolo del costruttore FDMS8050ET30
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22610pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 30V 55A (Ta), 423A (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount Power56
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 55A (Ta), 423A (Tc)

Altri

Pacco standard 3,000
Altri nomi FDMS8050ET30TR

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

- Il gruppo FDK mira a contribuire alla realizzazione di una società dell'elettronica benestante producendo e fornendo dispositivi elettronici e batterie che soddisfino le esigenze dei clienti. In linea con il nostro approccio incentrato sul cliente, FDK fornisce prodotti per aumentare il valore e la funzionalità dei prodotti dei nostri clienti. Il nostro materiale, il circuito e le tecnologie ad alta densità sono stati coltivati ​​da molto tempo e utilizzano prodotti ecologici. Ci impegniamo per essere riconosciuti in tutto il mondo come uno dei migliori fornitori di dispositivi chiave e all'avanguardia e per promuovere il progresso di queste tecnologie emergenti e al tempo stesso promuovendo la protezione ambientale.

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