FDMS3668S

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FDMS3668S

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FDMS3668S
fabbricante Modello di prodotti:FDMS3668S
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:FDMS3668S
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.7V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6), Power56
Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Potenza - Max 1W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN
Altri nomi FDMS3668S-ND
FDMS3668STR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
codice articolo del costruttore FDMS3668S
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET Logic Level Gate
Descrizione espansione Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 13A, 18A

Altri

Pacco standard 3,000
Altri nomi FDMS3668S-ND

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

- Il gruppo FDK mira a contribuire alla realizzazione di una società dell'elettronica benestante producendo e fornendo dispositivi elettronici e batterie che soddisfino le esigenze dei clienti. In linea con il nostro approccio incentrato sul cliente, FDK fornisce prodotti per aumentare il valore e la funzionalità dei prodotti dei nostri clienti. Il nostro materiale, il circuito e le tecnologie ad alta densità sono stati coltivati ​​da molto tempo e utilizzano prodotti ecologici. Ci impegniamo per essere riconosciuti in tutto il mondo come uno dei migliori fornitori di dispositivi chiave e all'avanguardia e per promuovere il progresso di queste tecnologie emergenti e al tempo stesso promuovendo la protezione ambientale.

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