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FDMC8010ET30

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FDMC8010ET30

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FDMC8010ET30
fabbricante Modello di prodotti:FDMC8010ET30
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:New and unused, Original
Scarica il foglio dati:FDMC8010ET30
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 65W (Tc)
imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro 8-PowerWDFN
Altri nomi FDMC8010ET30DKR
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 26 Weeks
codice articolo del costruttore FDMC8010ET30
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5860pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Descrizione espansione N-Channel 30V 30A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta), 174A (Tc)

Altri

Pacco standard 1
Altri nomi FDMC8010ET30DKR

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

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