FDFM2P110

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FDFM2P110

EXSHINE Modello di prodotti:EX-FDFM2P110
fabbricante Modello di prodotti:FDFM2P110
fabbricante / Marca:Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
Stato Lead senza piombo / RoHS:Senza piombo / RoHS conforme
Condizione:1
Scarica il foglio dati:FDFM2P110
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore MicroFET 3x3mm
Serie PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs 140 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-MLP, Power33
Altri nomi FDFM2P110-ND
FDFM2P110TR
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
codice articolo del costruttore FDFM2P110
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Descrizione espansione P-Channel 20V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)

Altri

Altri nomi FDFM2P110-ND

FDFM2P110TR
Pacco standard 3,000

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Distributore di Fairchild/ON Semiconductor

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