FCH023N65S3L4

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EXSHINE Modello di prodotti:	EX-FCH023N65S3L4
fabbricante Modello di prodotti:	FCH023N65S3L4
fabbricante / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Breve descrizione:	MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Condizione:	New and unused, Original
Scarica il foglio dati:	FCH023N65S3L4
Applicazione:	-
Peso:	-
Sostituzione alternativa:	-

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FCH023N65S3L4
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Descrizione
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Parametro del prodotto

Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 7.5mA
Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	SuperFET® III
Rds On (max) a Id, Vgs	23 mOhm @ 37.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	595W (Tc)
imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-4
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard	37 Weeks
codice articolo del costruttore	FCH023N65S3L4
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7160pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	222nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Descrizione espansione	N-Channel 650V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)

Altri

Pacco standard	30

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