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CWDM3011N TR13
| EXSHINE Modello di prodotti: | EX-CWDM3011N TR13 |
|---|---|
| fabbricante Modello di prodotti: | CWDM3011N TR13 |
| fabbricante / Marca: | Central Semiconductor |
| Breve descrizione: | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
| Condizione: | New and unused, Original |
| Scarica il foglio dati: | CWDM3011N |
| Applicazione: | - |
| Peso: | - |
| Sostituzione alternativa: | - |
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CWDM3011N TR13
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Scorte future: 12000 pezzi in 7-10 giorni.
Tempo di consegna dal produttore: 8-10 settimane
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- Descrizione
- Pagamento
- spedizione
- Confezione
Parametro del prodotto
| Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max) | 20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 20 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi | CWDM3011N TR13 LEAD FREE |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore | CWDM3011N TR13 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - |
| Descrizione espansione | N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
Altri
| Pacco standard | 2,500 |
|---|---|
| Altri nomi | CWDM3011N TR13 LEAD FREE |
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Distributore di Central Semiconductor Corp
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