EXSHINE Modello di prodotti: | EX-NTD12N10T4G |
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fabbricante Modello di prodotti: | NTD12N10T4G |
fabbricante / Marca: | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Breve descrizione: | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK |
Stato Lead senza piombo / RoHS: | Senza piombo / RoHS conforme |
Condizione: | New and unused, Original |
Scarica il foglio dati: | NTD12N10 |
Applicazione: | - |
Peso: | - |
Sostituzione alternativa: | - |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
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Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | DPAK |
Serie | - |
Rds On (max) a Id, Vgs | 165 mOhm @ 6A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi | NTD12N10T4GOS NTD12N10T4GOS-ND NTD12N10T4GOSTR |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore | NTD12N10T4G |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Caratteristica FET | - |
Descrizione espansione | N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK |
Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Pacco standard | 2,500 |
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Altri nomi | NTD12N10T4GOS NTD12N10T4GOS-ND NTD12N10T4GOSTR |
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